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彩3网登陆工作原理

目录:行业新闻点击率:发布时间:2016-12-19 17:18:59

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在半导体工业中,微电子组件建立在一个单晶的平面。 在生产过程中,层与特定的电特性(绝缘体,导体和层具有一定的导电性)被施加在彼此的顶部。 由于相邻层的不同的特性,电子元件,如晶体管,电容器,电阻器等创建的。
 
生产集成电路,如掺杂的半导体基体材料,建立层,结构以及在分析过程中的真空技术被用在许多不同的过程。 生产在洁净室。 真空泵使用,也可以直接在洁净室的生产机械或在一个单独的泵底板(地下室)的洁净室的下方。
 
进程放置在所使用的泵的不同要求。 过程没有腐蚀性,有毒或冷凝介质可以与不是专门配备用于处理腐蚀性气体泵进行操作。 这些方法包括
 
    负载锁和传输室
 
    PVD(物理气相沉积)金属不活性气体气氛
 
    注入(束线和终端站)
 
    退火在真空或惰性气体气氛(烘烤出来的晶体缺陷)
 
    晶圆检测 
 
 
所使用的泵(L系列)中描述了第4.6.3 。 直接在洁净室用泵不仅意味着前真空线到泵地下室和需要可以省略任何加热,而且该电导率的损失可以减少,并且可再现装置具有高工艺稳定性可以实现。
 
中型应用可以涉及腐蚀性化学品与一种倾向,凝结,但不生成颗粒。 这种类型的应用包括不同的过程如
 
    氧化,灰化
 
    RTP(快速热加工;在高温过程卤素照明晶圆处理与了很高的评价)
 
    的多晶硅,铝或钨干蚀刻
 
    注入(来源)
 
    某些CVD工艺 
 
 
所用的泵(P系列)中描述章4.6.4 。 为了安全的原因,并由于邻近的废气净化系统中,进程泵经常安装在地下室。
 
最苛刻的处理(苛刻工艺,H系列泵),使得有必要处理的颗粒,高腐蚀性化学物质或反应副产物和化学制品或以冷凝的倾向反应副产物。 这样的方法的实例是:
 
    MOCVD氮化钛(金属有机化学气相沉积)
 
    电介质的各向同性干法刻蚀
 
    二氧化硅的HDP CVD(高密度等离子体化学气相沉积)
 
    二氧化硅的SACVD(亚大气压化学气相沉积)
 
    SACVD HARP(亚大气压化学气相沉积,高纵横比工艺)二氧化硅 
 
 
涡轮分子泵(组合见第4.9.3.2有时也用于这些进程)和干运行的流程泵。
 
前面提到的方法的p和H泵使用的化学品与例如
 
    高毒性,如砷化氢(为AsH 3)或磷化氢(PH 3)
 
    腐蚀性高如等离子体活化三氟化氮(NF 3),六氟化硫(SF 6),碳氟化合物等
 
    高氧化性能,如等离子体活化的氧或臭氧
 
    金属有机物化学品,如原硅酸四乙酯(TEOS),三甲硅烷基(TSA) 
 
真空技术和真空处理技术的广泛知识是必需的定义与长期稳定性和所有权的最低成本一个切实可行的解决方案。 此,例如,包括为了防止结露,由于太低的温度下,形成粉末在过高的温度下,或在泵的堵塞限定所述泵的工作温度,如果化学品留在泵体太久。 除了温度图案的精确控制,经常需要不仅在泵本身,而且在生产厂,前真空线路和废气线路。
 
在太阳能行业和显示器制造彩3网登陆往往类似于在半导体工业中所使用的流程。 由于较大的表面在这些行业要润滑减少摩擦,该气体通过量的要求较高然而,和需要的泵与相应的高泵送速度。
 
 
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在太阳能产业,抗反射层和氮化硅层构成钝化表面被施加到太阳能电池内的等离子体CVD工艺,以更好地收获了太阳的光。 这些不仅沉积在衬底如需要的话,也对真空室的壁上。 处理室必须在最近被清洗时已积累在墙壁上的各层不再允许控制的真空过程。 这是通过在原位等离子体进行清洁与强氧化剂NF 3。 如果泵(在这种情况下的AD 73 KH, 见章节4.6.5 )在太低的温度下进行操作,然后,如图4.10,将反应产物六氟硅酸铵沉积在泵站。 理想的过程控制不仅包括工艺兼容泵和一个尝试和测试,合格的一套运行参数也:
 
    加热的前真空线,以防止出现结露
 
    在垂直前真空线的情况下的保护装置,以防止物体从脱落到泵(例如,一个T形件与在垂直下端,并与该泵的输出的水平空白凸缘)
 
    软启动阀,以防止引发颗粒
 
    在泵入口的泵在高温下连续运转,即使在上脱颖而出真空线路维护工作的一个截止阀
 
    中脱颖而出真空A线泄漏检测仪连接,尽可能靠近的前级泵。 泄漏会导致二氧化硅颗粒的形成。
 
    泵和排气净化系统之间的加热的排气线路
 
    的废气净化系统 
 
六氟硅酸铵的冷凝(NH <子> 4 </ SUB>)2SIF <SUB> 6 </ SUB>的根在过低的温度下运转泵

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